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SE2N60 N沟道MOS TO-252
品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE2N60 N沟道MOS TO-252 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:20（V） 夹断电压:12（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）
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锂电池MOS SE8209 SI*-IC
品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE8209 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:20（V） 夹断电压:20（V） 低频跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）
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SE4N60 N沟道MOS TO-252
品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE4N60 N沟道MOS TO-252 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）
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SE1N60 N沟道MOS TO-220F
品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE1N60 N沟道MOS TO-220F 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）
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供应 开关IC SE8205A SI*-IC
品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE8205A 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-INM/*组件 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） *间电容:800（pF） 低频噪声系数:800（dB） 漏*电流:800（mA） 耗散功率:800（mW）
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MOS场效应管 SE3400 N沟道 SOT-23 SI*-IC
品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE3400 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道
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SE2306 N沟MOS SOT-23 光宇睿芯
品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE2306 N沟MOS SOT-23 光宇睿芯 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）
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供应SE4946 MOSFET管
品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE4946 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） 低频跨导:60（μS） *间电容:800（pF） 低频噪声系数:800（dB） 漏*电流:800（mA） 耗散功率:800（mW）
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供应SE4N60 MOS管
品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:4N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:CHIP/小型片状 材料:N-FET硅N沟道
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供应SE2306 功率MOSFET(图)
型号/规格:SE2306（2312） 品牌/商标:SI*-IC *类别:无铅*型