上海光宇睿芯微电子有限公司

SE2N60 N沟道MOS TO-252

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE2N60 N沟道MOS TO-252 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:20（V） 夹断电压:12（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

锂电池MOS SE8209 SI*-IC

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE8209 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:20（V） 夹断电压:20（V） 低频跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

SE4N60 N沟道MOS TO-252

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE4N60 N沟道MOS TO-252 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

SE1N60 N沟道MOS TO-220F

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE1N60 N沟道MOS TO-220F 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

供应 开关IC SE8205A SI*-IC

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE8205A 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-INM/*组件 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） *间电容:800（pF） 低频噪声系数:800（dB） 漏*电流:800（mA） 耗散功率:800（mW）

MOS场效应管 SE3400 N沟道 SOT-23 SI*-IC

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE3400 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道

SE2306 N沟MOS SOT-23 光宇睿芯

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE2306 N沟MOS SOT-23 光宇睿芯 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

供应SE4946 MOSFET管

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SE4946 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） 低频跨导:60（μS） *间电容:800（pF） 低频噪声系数:800（dB） 漏*电流:800（mA） 耗散功率:800（mW）

供应SE4N60 MOS管

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:4N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:CHIP/小型片状 材料:N-FET硅N沟道

肖特基10SQ050

产品类型:肖特基管 品牌/商标:国产 型号/规格:10SQ050 结构:肖特基 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:金属封装 功率特性:小功率 频率特性:中频 发光颜色:电压控制 LED封装:无色透明(T) 出光面特征:微型管 发光强度角分布:标准型 反向电压VR:50（V） 正向直流电流IF:10000（mA）

供应TVS管(SI*-IC)(图)

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:1.5KE30A/CA 产品类型:瞬变抑制二*管 结构:外延型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 频率特性:*频 发光颜色:电压控制 LED封装:无色透明封装(T) 出光面特征:微型管 发光强度角分布:标准型 正向直流电流IF:1（A） 反向电压:1（V）

供应三*管SEBC847B（SI*-IC）(图)

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SEBC847BU 应用范围:功率 功率特性:大功率 频率特性:*频 *性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:金属封装 截止频率fT:1（MHz） 集电*允许电流ICM:1（A） 集电*耗散功率PCM:1（W） 营销方式:* 产品性质:*

SEB520S-30 肖特基二*管 SI*-IC

**:是 产品类型:功率二*管 是否*:否 品牌/商标:国产 型号/规格:SEB520S-30 材料:硅(Si) 封装材料:金属封装 LED封装:无色透明(T) 封装形式:贴片型

三*管(SI*-IC)(图)

品牌/商标:(SI*-IC) 型号/规格:C123JG 应用范围:功率 功率特性:小功率 频率特性:低频 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 截止频率fT:1（MHz） 集电*允许电流ICM:1（A） 集电*耗散功率PCM:1（W） 营销方式:* 产品性质:*

供应三*管 S*400

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:S*400 应用范围:功率 功率特性:大功率 频率特性:*频 *性:NPN型 结构:外延型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 截止频率fT:1（MHz） 集电*允许电流ICM:1（A） 集电*耗散功率PCM:1（W） 营销方式:* 产品性质:*

供应肖特基SEB1540（SI*-IC）

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SEB1540 产品类型:肖特基管 结构:扩散型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 频率特性:低频 正向直流电流IF:1（A） 反向电压:20（V）

供应SEC114EE SOT-523(图)

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SEC114EE 应用范围:功率 功率特性:小功率 结构:外延型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应SEC123JG SOT-723(图)

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SEC123JG 应用范围:功率 功率特性:小功率 频率特性:低频 *性:NPN型 结构:外延型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 截止频率fT:1（MHz） 集电*允许电流ICM:1（A） 集电*耗散功率PCM:1（W） 营销方式:* 产品性质:*

手机IC S*OT05C SOT-23(图)

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SEC144EU 应用范围:功率 功率特性:小功率 频率特性:*频 *性:NPN型 结构:外延型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 集电*允许电流ICM:1（A） 集电*耗散功率PCM:20（W） 营销方式:* 产品性质:*

供应数字三*管SEC123JG(图)

品牌/商标:SI*-IC 型号/规格:SEC123JG 应用范围:功率 功率特性:大功率 频率特性:*频 *性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 集电*允许电流ICM:1（A） 集电*耗散功率PCM:1（W） 营销方式:* 产品性质:*