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SI*-IC
SE8209
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
SP/*外形
GE-N-FET锗N沟道
20(V)
1(μS)
1(pF)
光宇睿芯微电子四大比较优势:1)性能、参数优异,可以和国外同类产品*;2)交货周期短,交货及时;3)价格适中;4)研发能力突出,可根据客户的需求研发出性能*且满足客户需求的产品。”